SSD Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0CW

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, совместимость с PS5

Общая информация
Дата выхода на рынок	2023 г.
Основные
Объём	1 ТБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 4.0 x4
Версия NVMe	2.0
Тип микросхем Flash	3D TLC NAND
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	600 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер	Да
Объем DRAM-буфера	1024 МБ
Аппаратное шифрование	Да AES 256bit
Скорость последовательного чтения	7 450 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	6 900 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	1 200 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	1 550 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)	5.4 Вт (режим Burst 7.8 Вт)
Энергопотребление (ожидание)	0.05 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)	1 500 000 ч
Толщина	8.2 мм
Охлаждение	Да
Тип охлаждения	радиатор
Подсветка	Нет
Совместимость с PS5	Да
Комплектация
Тип поставки	RTL (Retail)

Гарантия: 12 мес.
Изготовитель: Шеньжень КсинШенг Ли Пауер Цо., ЛТД, 6Ф Билдинг 5, МаоБанг индастриал Ареа, Джентлеманс клос ГуанЛан Таун, Баоан Дистрикт Сити, Шеньжень Сити, Гуандонг, Китай / Shenzhen XinSheng Li Power Co., LTD, 6F building 5, MaoBang industrial Area, Gentleman's cloth GuanLan Town, Baoan Dis-trict, Shenzhen City, Guangdong, China
Поставщик в РБ: ООО "Нереида", 220073, г.Минск, ул.Ольшевского, дом № 10 А, пом.7 ООО "Триовист", 220020, г. Минск, ПОБЕДИТЕЛЕЙ пр., дом № 100, офис 203
Сервисный центр: ООО "ЦТИ", г. Минск, ул. Короля, дом 26 ЗАО "ПАТИО", г. Минск, ул. Харьковская, дом 76 ИП Рудь И.Б, Гродно, ул. Ожешко, 42,